基于校准的三维成像模型准确捕捉晶片表面形貌对于implant layer光刻后关键尺寸的影响，突破传统方法仅考虑当前层的局限。通过分析不同晶片表面形貌图层的影响和相互作用，协同优化bias与retargeting策略，优化光刻目标，有效补偿由晶片表面形貌引起的尺寸偏差，实现更精准的版图修正，大幅提升图形保真度与工艺窗口。
