面向任意纳米结构的通用量子器件仿真器，基于薛定谔方程与泊松方程(Schrödinger-Poisson equation system)，支持闭边界与开边界求解。闭边界模型可计算FinFET、纳米线截面量子态、自洽载流子浓度及异质结共振能级；开边界模型评估I-V特性，非平衡格林函数方法研究弹道纳米MOSFET。内置有效质量与k·p哈密顿量，自动响应任意应力、应变及晶向。作为首款完全基于材料物理模型而非经验参数的量子求解器，实现精准捕捉量子约束效应，预测新材料宏观特性，帮助用户攻克先进CMOS及超越CMOS技术挑战。

支持任意2D/3D结构的通用半导体器件仿真器，覆盖稳态、瞬态与小信号分析。独特的混合模式可将全物理器件直接嵌入电路，协同紧凑模型与无源元件。内置漂移扩散、流体动力学输运、量子修正及多种隧穿模型，并基于原子级陷阱与掺杂，精准评估纳米晶体管变异与可靠性。材料数据库抽象处理Si、SiC、GaN等宽禁带体系，C++式脚本动态调控参数，轻松应对先进CMOS、功率及异质结器件设计挑战。

面向硅与锗硅器件的前端工艺全物理仿真平台。集成离子注入、退火扩散、氧化及机械应力等关键模块，并涵盖光刻、刻蚀、外延等结构工艺。全程记录掺杂、应力与几何变换，直通器件仿真与工艺感知寻优。与ProEmu共享工艺流，一键切换快速仿真与物理级精度。内建从平面到FinFET的成熟模型，支持Python自动化与分布式计算，加速DTCO工艺闭环。

与Cell Designer深度协同，从版图掩模出发，灵活组合刻蚀、沉积、CMP等工艺模块，快速构建3D器件结构。精准捕捉工艺变化，识别关键步骤，量化其对功耗、性能与可靠性的链式影响，实现工艺感知的设计优化闭环。支持多核与脚本，无需复杂工艺数据，即可在统一平台调优FinFET、纳米片等前沿架构，让良率与性能提升一步到位。

为先进DTCO而生的一站式工具套件。基于参数化版图模板自动生成高精度3D结构，融合NDS物理仿真，横向评估FinFET、纳米片、CFET等主流架构。内置SPICE模型自动提取与场求解寄生抽取，一键导出功耗、性能、面积及可靠性指标。模块化流程支持全TCAD闭环验证，从版图到SPICE、Python后处理全链路自动化，让用户聚焦应用目标，避免流程迷失，快速锁定最优技术方案，加速产品落地。

首款全集成纳米级MOSFET物理仿真平台，基于子带玻尔兹曼方程，精准捕捉短沟道效应与量子隧穿，预测关键电参数。融合弹道输运、多散射与WKB隧穿，通过切片迭代与漂移扩散协同，兼顾精度、速度与易用性。一次设置覆盖全偏压特性，为先进器件研发提供坚实物理洞察。

通过内置的工艺模型库和布局感知的仿真引擎，快速重建高精度3D结构，并准确反映工艺变化对器件形貌的影响。支持从沉积、刻蚀到抛光等全流程虚拟工艺集成，使用户在无需大量试片的情况下即可评估方案可行性、识别潜在问题并优化制程条件。